高分子结晶行为对射出成型流变模拟的影响

in 焦点文章 on 6 月 17, 2026
材料科学研发部.王镇杰

在半结晶型高分子中,结晶是主导熔体固化并强烈影响射出成型流动行为的关键物理机制。不定型(Amorphous)高分子的黏度主要随温度变化,然而半结晶材料在加工过程中,可能同时发生相变,于熔体中形成具高度有序性的晶体结构。当结晶发生时,高分子链会形成有序排列的结构而约束分子运动,进而改变材料的流变行为,因此在计算机辅助工程(CAE)仿真中需要加以考虑此效应。

高分子结晶包含成核与成长机制,其行为对冷却速率、压力及剪切率历程等加工条件高度敏感。在射出成型过程中,高剪切速率与流动诱发的分子排向会提升成核速率与密度,在靠近模壁的位置尤为显著。

结晶的成长会导致明显的流变位移效应,若以单纯温度的模型(如WLF方程式)无法充分描述此行为。随着结晶进行,晶体结构会限制非晶区域中分子链的活动性,使零剪切黏度与黏弹性松弛时间快速上升。此行为形成所谓的「时间–温度–结晶度迭加」[1],其中结晶度成为额外的位移变量,可以加速熔体的表观固化。因此,零剪切速率黏度可利用改良式Cross模型(Modified Cross Model (4))来描述:

在此模型中,结晶度对黏度具有高度非线性的影响。由结晶所引发的位移效应可表示为[2]

零剪切速率黏度会随相对结晶度呈指数型上升。图一显示结晶位移因子与相对结晶度之间的关系,其行为由材料参数a与b所控制。

图一、相对结晶度与结晶位移因子之关系

 

在高分子加工过程中,流动终止不仅受温度控制,也受到结晶动力学的影响,即使在相对较低温度下,仍可能因来不及结晶而未固化。因此,黏度强烈相依于加工历程,包括温度、压力、剪切速率及结晶度。图二显示聚丙烯(PP)在不同冷却速率下的 (a) 结晶动力学曲线与 (b) 结晶度相依黏度曲线。结果显示,冷却速率越高,黏度快速上升的起始温度会往较低温度方向移动,验证了黏度变化具高度制程相依性的特性。

图二、不同冷却速率下聚丙烯(PP)的 (a) 相对结晶度与 (b) 黏度曲线

 

纯温度相依型黏度模型在接近冻结温度时的局限性尤为明显。在相同可量测温度范围180°C-220°C的黏度数据,透过Williams–Landel–Ferry(WLF)拟合成不同参数,而产生外推的低温黏度有明显的差异。如图三所示,不同WLF外推模型(WLF-1、WLF-2、WLF-3)所得到的低温黏度预测差异甚大;同时,将三种不同冷却速率下所获得的结晶度相依黏度曲线一并比较。

图三、三种WLF型模型(实线)与不同冷却速率下之结晶度相依黏度曲线(虚线)比较

 

以薄板(1.5 mm)模具进行射出压力验证的结果进一步显示,WLF模型在低射速条件下容易高估或低估喷嘴压力。相较之下,温度–结晶度相依的黏度模型在广泛射速范围内,与实验结果的压力数据更加一致,如图四所示。

图四、不同射出速度下的喷嘴压力(1.5 mm薄板模具)

 

此模型在改善低射速条件下特别显著,因低速下熔胶的停留时间较长,导致较高的结晶度与较低的温度,使得黏度与射出压力大幅上升。图五为不同射速下的平均结晶度与平均熔体温度;随着射速增加,熔体温度上升而结晶度下降,故不同射速的实验为验证黏度模型提供广泛的条件范围。不同射速会产生截然不同的温度与压力历程,采用具制程相依性的黏度模型对于准确预测射出压力至关重要。

图五、在V/P切换位置下,不同射速对应之平均相对结晶度与平均熔体温度

 

对于半结晶型高分子而言,CAE模拟必须使用能够耦合结晶动力学与流变行为演化的黏度模型。Modified Cross Model (4) 提供具物理基础的架构,可有效描述制程历程相依行为,并提升对射出成型过程中流动、压力发展与固化行为的预测准确度。因此Modified Cross Model (4) 所描述的黏度能透过纳入结晶动力学效应反映实际制程历程,并在广泛射速范围内提供更可靠的模拟结果。

在射出成型中,温度与压力历程于成品内部具有空间差异性,因此因结晶所导致黏度急遽上升的温度并非全局一致,而是具有位置相依性。若仅以单纯温度函数(如WLF类型)来描述中低温区域的黏度行为,将可能在结晶主导流动终止的区域产生显著预测误差。

因此,针对半结晶型高分子材料,建议采用结合结晶动力学与黏度演化的材料模型 — Modified Cross Model (4),以确保在低射出速率、薄件成型,或保压阶段熔胶接近固化行为时,其制程模拟结果具备充分的物理合理性与实际可信度。

参考数据:
[1] Acierno, S., Grizzuti, N. J. Rheol., 2003, 47, 563–576.
[2] Lamberti, G., Peters, G. W. M., Titomanlio, G. Int. Polym. Process., 2007, 22, 303–310.

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